SK hynix va créer NewCo au siège américain pour le business NAND sortant d'Intel à 9 milliards de dollars • The Register


SK hynix a l'intention de créer son activité Intel NAND, qui sera bientôt acquise, en tant que société autonome basée aux États-Unis.

Robert Crooke, directeur général d'Intel pour les produits NAND et propriétaire de vignoble, l'a révélé dans un article de blog sur LinkedIn, écrivant : "Je suis honoré d'être le PDG de cette entreprise. Restez à l'écoute pour le nouveau nom de notre entreprise, je le partagerai ici !"

Il écrit sur la construction d'une "nouvelle entreprise mondiale de plusieurs milliards de dollars" qui a la technologie et "l'échelle opérationnelle pour devenir une centrale électrique dans l'industrie du stockage et de la mémoire NAND". Et il a plus de 150 postes ouverts pour que des personnes le rejoignent dans cette entreprise, ainsi que la base existante.

Robert B Crooke, vice-président senior et directeur général du groupe NVM Solutions chez Intel

Robert Crooke d'Intel

SK hynix est déjà présent aux États-Unis, sous la forme de SK hynix America Inc, fournissant des semi-conducteurs tels que des capteurs d'image NAND et CMOS. Il n'est pas clair si la nouvelle société de Crooke assumera la responsabilité de toutes les ventes SK hynix et Intel NAND, ou uniquement des produits d'origine Intel.

La nouvelle société verra le jour une fois que toutes les juridictions avec les régulateurs concernés auront approuvé l'accord SK hynix-Intel. L'organisme de surveillance de la concurrence au Royaume-Uni est récemment devenu le sixième à procéder à la vente de 9 milliards de dollars convenue par les sociétés en octobre. Le feu vert est toujours requis des régulateurs en Chine et à Singapour.

Fusion technologique – nos réflexions

Rien n'a encore été dit sur la façon dont les technologies distinctes SK hynix et Intel NAND se réuniront ou non. Étant donné que les économies d'échelle de fabrication sont d'une importance vitale dans l'activité NAND, car elles permettent une production à moindre coût, nous nous attendons à ce que les deux technologies fusionnent.

Intel construit actuellement une NAND 3D à 144 couches, tandis que SK hynix propose 128 couches et un produit à 176 couches à venir.

SK hynix a une conception PUC (Circuits périphériques sous cellule) et utilise des cellules à piège de charge. Son appareil à 176 couches est construit à partir de deux chaînes à 96 couches. Il utilise également la technologie de sélection de matrice de cellules à 2 divisions qui divise logiquement une cellule en deux pour accélérer les lectures.

Le flash à 144 couches d'Intel est disponible aux formats TLC (3 bits/cellule) et QLC (4 bits/cellule) et utilise la technologie de porte flottante.

Par conséquent, il nous semble que l'entreprise SK hynix/Intel NAND doit décider s'il faut choisir une technologie de trappe de charge ou de technologie flottante à l'avenir, et utiliser une architecture commune pour placer les éléments logiques sous les couches NAND. Et puis il doit se contenter d'un nombre de couches commun.

Notre meilleure supposition est que les deux décideront de fusionner leurs technologies avec la génération V8 de SK hynix – une technologie de classe 200+. L'intention sera probablement clarifiée l'année prochaine.

Oh, et un dernier point : SK hynix a un effort de recherche de mémoire de classe stockage. Ne serait-il pas fascinant que le combo SK hynix et Intel NAND décide de construire un produit de classe Optane ? ®



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